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高燣（16世纪），字德威，号阳山，浙江杭州府临安县人，明朝政治人物。

高燣是永乐二年进士高𬀩的从孙，自幼聪明，十岁就能写出文章，县人、嘉靖二年进士胡伯鳌觉得不寻常，用他的姓名「高燣」命题，他回答：「其姓也，巍然；其名也，烈然。」于是对方更加惊奇；成年考获恩贡，到嘉靖二十八年（1549年）中举人，授通江知县，未就任就因父母去世而回乡。服阕后补任蒙城知县，期间政绩优异，上级旌表的说话都载入檄文中，三年后考核他突然叹息：「大丈夫负七尺之躯，时而弯曲时而受挫，岂不像是逐臭的苍蝇、在裤的虱子？」于是弃官回家，杜门谢绝交游，每天阅读图史，足迹不入城市，恬淡布衣蔬食，不接见邑内大夫，以礼义教育子弟，五十八岁才去世。

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十六国时期，后赵石勒曾置宣文、宣教、崇儒、崇训十余小学于国都襄国（今河北邢台）四门，为四门学的前身。北魏太和十九年（495年）魏孝文帝于洛阳四门立四门小学，属太常。次年置四门博士40人、助教20人。与国子学、太学同为中央官学。后与太学同在一处。北齐改四门小学为四门学，隶属于国子寺，设置四门学博士二十人，助教二十人，学生三百人，教授学生五经文字。

隋朝初年，自京师达于四方，皆立学校，四门学犹存。四门学设博士、助教各五人，有学生三百六十人。专习儒家经典，归国子寺领导，隋文帝开皇十三年（593年）废止。隋炀帝时改国子寺为国子监。

唐朝在重振儒术和兼重佛道思想的指导下，竭力提倡兴学。武德元年（618年）国子监沿置四门学，亦称四门馆，位次太学之后，为唐代“六学”之一。设博士、助教各三人，后改为博士六人，正七品上；助教六人，从八品上；直讲四人。掌教七品以上、侯伯子男之子为学生，兼收庶人子弟中的俊秀者。武德初年，定学生名额一百六十人，后增为一千三百人，其中五百人为文武官子弟，八百人为庶人子弟。学习课业与国子学、太学同。毕业后可升入太学，考试合格者送尚书省，受吏部（后改礼部）考试任官。

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在硅熔化前，可以向坩埚中添加硼、磷等材料，这样，拉制出的硅棒就具有与纯硅不同的电学性质。上述添加的材料被称为“杂质”，对应工艺过程被称为“掺杂”，得到的材料被称为“杂质半导体”。如果半导体材料不是硅，而是其他化合物（如砷化镓），同样可以使用直拉法来制备单晶材料。

通过上述直拉工艺制备的单晶硅是制造大积体电路的基础材料，被用于计算机、电视机、移动电话和其他各种电子设备中。

使用直拉法工艺制备单晶硅时，常用石英（主要成分为二氧化硅）坩埚作为器皿。这样做的一个不可避免的结果，就是器皿本身因为高温加热，将发生热分解，导致熔融状态硅中混入氧，其浓度的典型数量级为1018cm-3。氧杂质将带来一些好处。严格的退火工艺可以使氧沉淀下来。这些氧可以俘获半导体材料中不必要的过渡金属。除此之外，氧杂质还能够改善硅晶圆的机械强度，因为它能够固定制备流程中被引入的位错。1990年代，高浓度氧被发现能够在硅材料粒子探测器（例如欧洲核子研究组织中的大型强子对撞机项目）中用于辐射加固。因此，用这样的硅制成的辐射探测器，是将来进行高能粒子实验的理想设备。在后期的退火过程中，硅中的氧杂质也能俘获其他不必要的杂质。

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