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无毛太阳瓶子草的捕虫瓶高10至45厘米，宽5至15厘米。其下部为漏斗形，瓶肩靠下，瓶肩处略呈葫芦形；中部为管状，细长；上部略呈漏斗形。无毛太阳瓶子草较其他太阳瓶子草属物种的捕虫瓶在比例上相对细长。瓶盖为盔形，中部具丘状隆起。捕虫瓶内表面大部分无下向毛，仅在瓶肩对应处存在一圈长2至5毫米的细毛。无毛太阳瓶子草的苞片为黄色。
无毛太阳瓶子草分布于罗赖马山东南部的韦山（Wei Tepui）和数个未命名的小山峰，以及罗赖马山东侧的小罗赖马山。其海拔分布范围为1200米至2810米。在许多原生地其与垂花太阳瓶子草（H. nutans）同域分布，并已发现了两者之间的自然杂交种。
在20%至45%遮荫的条件下，其捕虫瓶为红绿色，可高达45厘米，为太阳瓶子草属内的捕虫瓶最大尺寸。在更高的遮荫条件下，其捕虫瓶会为纯绿色甚至黄化。各分布地之间的种群捕虫瓶的颜色也存在差异，韦山种群的捕虫瓶主要为绿色，而罗赖马山东部的种群则更鲜红。
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畜禽遗传资源是一直动态变化的，而且对畜禽遗传资源的认识也随着科学技术的发展而更为深化。2003年，国家家畜禽遗传资源管理委员会组织制定《畜禽遗传资源调查技术手册》，2004年在辽宁等四个省份进行调查试点。2005年12月29日，第十届全国人民代表大会常务委员会第十九次会议通过《中华人民共和国畜牧法》，第十一条规定“国务院畜牧兽医行政主管部门负责组织畜禽遗传资源的调查工作，发布国家畜禽遗传资源状况报告，公布经国务院批准的畜禽遗传资源目录。”2006年中国农业部印发《全国畜禽遗传资源调查实施方案》，第二次全国性畜禽遗传资源调查全面展开。中国中央及地方财政共投入4500多万人民币用于调查及编写《中国畜禽遗传资源志》前言5。2007年5月，农业部将国家家畜禽遗传资源管理委员会重组为“国家畜禽遗传资源委员会”，设立猪、家禽、牛马驼、羊、蜜蜂和其他畜禽等6个专业委员会。该委员会负责畜禽遗传资源的鉴定、评估和畜禽新品种、配套系的审定等工作。办事机构设在全国畜牧总站。2012年7月9日，国家畜禽遗传资源委员会会议暨《中国畜禽遗传资源志》出版发行仪式在北京举行。2015年4月24日，第十二届全国人民代表大会常务委员会第十四次会议通过《中华人民共和国畜牧法》修正案，有关“畜禽遗传资源目录”的规定并未修改。
2020年2月24日，第十三届全国人民代表大会常务委员会第十六次会议通过《全国人民代表大会常务委员会关于全面禁止非法野生动物交易、革除滥食野生动物陋习、切实保障人民群众生命健康安全的决定》，全面禁止食用野生动物，畜禽遗传资源目录内的家畜家禽适用《中华人民共和国畜牧法》的规定。决定通过后，人工繁育野生动物养殖业受到影响。
4月8日，农业农村部组织起草的《国家畜禽遗传资源目录（征求意见稿）》公开征求意见，此目录包括31种家禽（18种传统畜禽、13种特种畜禽）。有众多品种、已形成规模产业的人工繁育陆生野生动物未进入目录。如贵州省的竹鼠、豪猪、果子狸、蓝孔雀、眼镜蛇等。征求意见稿如果实行，意味着此类品种的人工养殖将无合法身份。
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欧姆接触是半导体设备上具有线性并且对称的电流-电压特性曲线（I-V curve）的区域。如果电流-电压特性曲线不是线性的，这种接触便叫做肖特基接触。典型的欧姆接触是溅镀或者蒸镀的金属片，这些金属片通过光刻制程布局。低电阻，稳定接触的欧姆接触是影响集成电路性能和稳定性的关键因素。它们的制备和描绘是电路制造的主要工作。
任何两种相接触的固体的费米能级（Fermi level，或者严格意义上，化学势）必须相等。 费米能级和真空能级的差值称作功函数。接触金属和半导体具有不同的功函数，分别记为和。当两种材料相接触时，电子将会从低功函（高Fermi level）一边流向另一边直到费米能级相平衡。从而，低功函（高Fermi level）的材料将带有少量正电荷而高功函（低Fermi level）材料则会变得具有少量负电荷。最终得到的静电势称为内建场记为。这种接触电势将会在任何两种固体间出现并且是诸如二极管整流现象和热电效应等的潜在原因。内建场是导致半导体连接处能带弯曲的原因。明显的能带弯曲在金属中不会出现因为他们很短的屏蔽长度意味着任何电场只在接触面间无限小距离内存在。
在经典物理图像中，为了克服势垒，半导体载流子必须获得足够的能量才能从费米能级跳到弯曲的导带顶。穿越势垒所需的能量是内建势及费米能级与导带间偏移的总和。同样对于n型半导体，当中是半导体的电子亲合能（electron affinity），定义为真空能级和导带（CB）能级的差。对于p型半导体，其中是禁带宽度，e是基本电荷。当穿越势垒的激发是热力学的，这一过程称为热发射。真实的接触中一个同等重要的过程既即为量子力学隧穿。WKB近似描述了最简单的包括势垒穿透几率与势垒高度和厚度的乘积指数相关的隧穿图像。对于电接触的情形，耗尽区宽度决定了厚度，其和内建场穿透入半导体内部长度同量级。耗尽层宽度可以通过解泊松方程以及考虑半导体内存在的掺杂来计算:
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